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参数资料
| 型号： | UPA602T-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 10mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA602T
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ?C)
100
80
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
350
300
250
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Free air
ro
To
un
60
40
200
150
100
Pe
ne
ta
it
l
20
50
0
20
40 60 80 100 120 140 160
0
25 50 75 100 125
150
T C - Case Temperature - ?C
DRAIN CURRENT vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
T A - Ambient Temperature - ?C
TRANSFER CHARACTERISTICS
120
100
Pulsed
measurement
4.0 V
1 000
V DS = 5 V
Pulsed
measurement
80
3.5 V
100
60
40
20
3.0 V
V GS = 2.5 V
10
1
T A = 75 ?C
25 ?C
–25 ?C
0
1
2
3
4 5 6
7
0.1
0
2 4 6
8
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE
vs. DRAIN CURRENT
3
2
V DS = 5 V
I D = 1.0 μ A
100
T A = 75 ?C
V DS = 5 V
25 ?C
1
10
–25 ?C
0
–30
0 30 60 90 120
150
1
1
10 100
1 000
T ch - Channel Temperature - ?C
I D - Drain Current - mA
3
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