参数资料
型号: UPA606T-T1-A
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 1/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DL N-CH 50V 100MA SC-59
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 欧姆 @ 10mA,10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 16pF @ 5V
功率 - 最大: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6
供应商设备封装: 6-迷你型模塑
包装: 标准包装
其它名称: UPA606T-T1-ADKR
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1 st , 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1 st , 2010
Renesas Electronics Corporation
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PDF描述
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