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参数资料
| 型号： | UPA606T-T1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 50V 100MA SC-59 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 10mA，10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-迷你型模塑 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | UPA606T-T1-ADKR |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ PA606T
N-CHANNEL MOS FET (6-PIN 2 CIRCUITS)
FOR SWITCHING
The μ PA606T is a mini-mold device provided with two
MOS FET elements. It achieves high-density mounting
PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)
0.16 –0.06
and saves mounting costs.
FEATURES
? Two MOS FET elements in package the same size as
SC-59
? Complement to μ PA607T
? Automatic mounting supported
+0.1
0.32 –0.05
+0.1
0 to 0.1
0.95
0.95
1.9
0.8
1.1 to 1. 4
2.9 ±0.2
PIN CONNECTION
6
5
4
1.
2.
3.
4.
5.
Source 1
Gate 1
Drain 2
Source 2
Gate 2
1
2
3
6.
Drain 1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ?C)
PARAMETER
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V DSS
V GSS
I D(DC)
I D(pulse) *
P T
T ch
T stg
RATINGS
50
± 20
100
200
300 (Total)
150
–55 to +150
UNIT
V
V
mA
mA
mW
?C
?C
* PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50 %
Document No. G11253EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
?
1996
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC730-66.667 | OSC 66.667 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 445C35K13M00000 | CRYSTAL 13.00000 MHZ 8PF SMD |
| 445C35E13M00000 | CRYSTAL 13.00000 MHZ 20PF SMD |
| FXO-LC730-76.8 | OSC 76.8 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 445C35D13M00000 | CRYSTAL 13.00000 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA606T-T2-A | 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA607 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING |
| UPA607T | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING |
| UPA607T-T1-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UPA607T-T2-A | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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