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参数资料
| 型号： | UPA606T-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 10mA，10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA606T
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ?C)
100
80
60
40
20
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
240
200
160
120
80
40
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
0
20
40 60 80 100 120 140 160
0
30
60 90 120 150 180
T C - Case Temperature - ?C
DRAIN CURRENT vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
T A - Ambient Temperature - ?C
TRANSFER CHARACTERISTICS
120
100
Pulsed
measurement
4.0 V
1 000
V DS = 5 V
Pulsed
measurement
80
60
3.5 V
3.0 V
100
10
40
1
T A = 75 ?C
25 ?C
20
V GS = 2.5 V
0.1
–25 ?C
0
1
2 3 4 5 6
7
0
2 4 6
8
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE
vs. DRAIN CURRENT
3
2
V DS = 5 V
I D = 1.0 μ A
100
30
T A = 75 ?C
V DS = 5 V
Pulsed
measurement
25 ?C
1
10
3
–25 ?C
0
1
–30
0 30 60 90 120
150
1
10 100
1 000
T ch - Channel Temperature - ?C
I D - Drain Current - mA
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA607T-T1-A | MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 |
| UPA610TA-T2-A | MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59 |
| UPA611TA-T2-A | MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6 |
| UPA621TT-E2-A | MOSFET N-CH 20V 6-WSOF |
| UPA622TT-E2-A | MOSFET N-CH 30V 6-WSOF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| UPA607 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING |
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| UPA608T(T1-A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SC-74 T/R |
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