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参数资料
| 型号： | UPA621TT-E2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6-WSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.3nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WSOF |
| 供应商设备封装： | 6-WSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1 st , 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1 st , 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA622TT-E2-A | MOSFET N-CH 30V 6-WSOF |
| UPA650TT-E1-A | MOSFET P-CH 12V 6-WSOF |
| UPA672T-T2-A | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-70 |
| UPA675T-T2-A | MOSFET N-CH DUAL 16V SC-70 |
| UPA677TB-T2-A | MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA622 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:UPA622TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| UPA622TT | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA622TT-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA622TT-E1-A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA622TT-E2-A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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