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参数资料
| 型号： | UPA621TT-E2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6-WSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.3nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WSOF |
| 供应商设备封装： | 6-WSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA621TT
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
20
Pulsed
V GS = 4.5 V
100
V DS = 10 V
Pulsed
10
15
10
2.5 V
4.0 V
1
0.1
0.01
T A = 125°C
75°C
25°C
? 25°C
5
0.001
0
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1.2
1
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V DS = 10 V
I D = 1.0 mA
100
10
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 25°C
0.8
0.6
0.4
1
0.1
0.01
25°C
75°C
125°C
-50
0
50
100
150
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
Pulsed
100
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
80
60
V GS = 2.5 V
4.0 V
80
60
40
20
4.5 V
40
20
I D = 2.5 A
-50
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
12
4
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G16112EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA622TT-E2-A | MOSFET N-CH 30V 6-WSOF |
| UPA650TT-E1-A | MOSFET P-CH 12V 6-WSOF |
| UPA672T-T2-A | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-70 |
| UPA675T-T2-A | MOSFET N-CH DUAL 16V SC-70 |
| UPA677TB-T2-A | MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA622 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:UPA622TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
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| UPA622TT-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA622TT-E1-A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA622TT-E2-A | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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