参数资料
型号: UPA621TT-E2-A
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 6-WSOF
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.3nC @ 4V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 270pF @ 10V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WSOF
供应商设备封装: 6-WSOF
包装: 带卷 (TR)
μ PA621TT
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
100
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
R DS(on) Limited
T A - Ambient Temperature - ° C
10
1
(V GS = 4.5 V)
I D(DC)
I D(pulse)
PW = 100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
50 cm x 1.1 mm
0.1
0.01
Single Pulse
Mounted on FR-4 board of
2
5s
0.1
1
10
100
50 cm x 1.1 mm
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
Single Pulse
Mounted on FR-4 board of
2
1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet G16112EJ1V0DS
3
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UPA622TT-E2-A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件