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参数资料
| 型号： | UPA622TT-E2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6-WSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 82 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 155pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WSOF |
| 供应商设备封装： | 6-WSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA622TT
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
60
40
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
5000 m m x 1.1 m m , t ≤ 5 sec.
20
0
0.2
0
Mounted on FR-4 board of
2
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T A - Ambient Temperature - ° C
100
R DS(on) Limited
(V GS = 10 V)
I D(pulse)
10
PW = 1 ms
1
I D(DC)
5000 mm x 1.1 mm
0.1
0.01
Single pulse
Mounted on FR-4 board of
2
10 ms
100 ms
5s
0.1
1
10
100
5000 mm x 1.1 mm
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
Single pulse
Mounted on FR-4 board of
2
1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet G16113EJ2V0DS
3
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PDF描述 |
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