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参数资料
| 型号： | UPA622TT-E2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6-WSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 82 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 155pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WSOF |
| 供应商设备封装： | 6-WSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA622TT
12
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
10
10
8
6
Pulsed
V GS = 10 V
1
0 .1
0 .0 1
V DS = 10 V
P u ls e d
T A = 1 2 5 °C
7 5 °C
2 5 °C
? 2 5 °C
4
4.5 V
2
0
4.0 V
0 .0 0 1
0 .0 0 0 1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
1 .5
2
2 .5
3
3 .5
4
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
2.4
V DS = 10 V
I D = 1.0 m A
10
V D S = 10 V
Pulsed
2.2
1
2
1.8
1.6
0.1
T A = ? 25°C
25°C
75°C
125°C
1.4
0.01
-50
0
50
100
150
0.01
0.1
1
10
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
200
150
Pulsed
V GS = 4.0 V, I D = 1.0 A
200
150
Pulsed
V GS = 4.5 V, I D = 1.0 A
100
100
I D = 1.5 A
50
V G S = 10 V, I D = 1.5 A
50
0
-50
0
50
100
150
0
0
5
10
15
20
4
T ch - Channel Temperature - °C
Data Sheet G16113EJ2V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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