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参数资料
| 型号： | US108S-6 |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, SCR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | US108S-6 |
UTC US108S/N
SCR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
4
QW-R301-012,B
Fig.6: Relative variation of dV/dt immunity vs gate-
cathode resistance(typical values) (US108S)
0.01
1.00
0.10
200 400 600
0
dV/dt(Rgk)/dV/dt(Rgk=220Ω)
10.00
1800
1600
1400
1200
1000
800
2000
Tj=125℃
VD=0.67* VDRM
Rgk(Ω)
2.5
5.0
15.0
20 40 60
0
Fig.7: Relative variation of dV/dt immunity vs gate-
cathode resistance(typical values) (US108S)
12.5
180
160
140
120
100
80
200
10.0
7.5
dV/dt(Cgk)/dV/dt(Rgk=220Ω)
220
Cgk(nF)
Tj=125℃
VD=0.67* VDRM
Rgk=220Ω
0.0
Fig.9:Non-repetitive surge peak on-state current for a
sinusoidal pulse with width tp<10ms, and corresponding
values of I t.
2
10
100
0.10
1.00
10.00
0.01
ITSM(A),I t(A s)
tp(ms)
2
1000
dI/dt
limitation
ITSM
Tjinitial=25℃
US108N
US108S
US108N
US108S
Figure.8: Surge peak on-state current vs
number of cycles.
100
80
70
40
20
0
ITSM(A)
110
100
1000
90
30
Repetitive
Tcase=110℃
tp=10ms
One cycle
60
50
10
Number of cycles
US108S
US108N
Non repetitive
Tj Iinitial=25℃
I t
2
0.1
1.0
50.0
0.5
1.0
1.5
0.0
ITM(A)
Fig.10: On-state characteristics(maximum values).
10.0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
VTM(V)
Tj=Tjmax.
Tj=25℃
Tj=max:
Vto=0.85V
Rd=46mΩ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US108S-8 | 8 A, 800 V, SCR, TO-220AB |
| USBAB33 | INTERCONNECTION DEVICE |
| USBC-MA-MB-B-B-S-2-R | INTERCONNECTION DEVICE |
| USF3G48 | 4.7 A, 400 V, SCR |
| USF3J48 | 4.7 A, 600 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US108SG-4-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCRS |
| US108SG-6-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCRS |
| US108SG-8-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCRS |
| US108SL-4-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCRS |
| US108SL-6-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCRS |
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