参数资料
型号: US1A-HE3
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
封装: LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件页数: 2/5页
文件大小: 418K
代理商: US1A-HE3
www.vishay.com
2
Document Number 88768
05-Aug-05
US1A thru US1M
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) P.C.B. mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pad area
Parameter
Test condition
Symbol
US1A
US1B
US1D US1G US1J US1K US1M
Units
Maximum instantaneous forward
voltage
at 1.0 A (1)
VF
1.0
1.7
V
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage
TA = 25 °C
TA =100 °C
IR
10
50
A
Maximum reverse recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
50
75
ns
Typical junction capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
15
10
pF
Parameter
Symbol
US1A
US1B
US1D
US1G
US1J
US1K
US1M
Units
Maximum thermal resistance(1)
RθJA
RθJL
75
27
°C/W
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PDF描述
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