参数资料
型号: US1B-HE3
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
封装: LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 418K
代理商: US1B-HE3
www.vishay.com
4
Document Number 88768
05-Aug-05
US1A thru US1M
Vishay General Semiconductor
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 7. Typical Junction Capacitance
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
Reverse Voltage (V)
0.1
1
10
100
10
1
pF
-
J
u
nction
Capacitance
US1A - US1G
US1J - US1M
Figure 8. Typical Transient Thermal Impedance
0.01
0.1
1
10
100
10
1
0.1
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (sec.)
0.157 (3.99)
0.177 (4.50)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.008 (0.203)
0.194 (4.93)
0.208 (5.28)
0.100 (2.54)
0.110 (2.79)
0.078 (1.98)
0.090 (2.29)
0.049 (1.25)
0.065 (1.65)
Cathode Band
0 (0)
DO-214AC (SMA)
0.074 MAX.
(1.88 MAX.)
0.208
(5.28) REF
0.066 MIN.
(1.68 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
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PDF描述
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