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参数资料
| 型号： | US1J-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | US1J-E3 |
US1A thru US1M
Document Number 88768
05-Aug-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
0
0.4
1.2
0
75
25
50
100
125
150
0.8
0.2
0.6
1.0
Resistive or Inductive Load
0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0 mm)
Copper Pad Areas
Lead Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
0
15
20
25
10
5
30
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rg
e
C
u
rren
t(A)
1
10
100
TL = 110 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 100 °C
Tj = 25 °C
US1A-US1G
100
10
1
0,1
0,01
0,3
0,5
0,7
0,9
1,1
1,3
1,5
1,7
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
Figure 5. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 6. Typical Reverse Leakage Characteristics
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
020
40
60
80
100
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 100 °C
Tj = 25 °C
US1A-US1G
100
10
1
0,1
0,01
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 100 °C
Tj = 25 °C
US1J-US1M
0,2
0,7
1,2
1,7
2,2
2,7
3,2
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instan
taneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
100
10
1
0,1
0,01
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 100 °C
Tj = 25 °C
US1J-US1M
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
1000
100
10
1
0,1
0,01
020
40
60
80
100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| US1BP | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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