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参数资料
| 型号： | US5U30TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 |
| 产品目录绘图： | US5U Series TUMT-5 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TUMT5 |
| 供应商设备封装： | TUMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | US5U30DKR |
US5U30
Transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 20
± 12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Channel temperature
Power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
Tch
P D ? 3
± 1
± 4
? 0.4
? 4
150
0.7
A
A
A
A
° C
W / ELEMENT
<Di>
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
V RM
V R
I F
30
20
0.5
V
V
A
Forward current surge peak
Junction temperature
Power dissipation
I FSM
Tj
P D
? 2
? 3
2
150
0.5
A
° C
W / ELEMENT
<MOSFET AND Di>
Total power dissipation
Range of Storage temperature
P D ? 3
Tstg
1.0
? 55 to +150
W / TOTAL
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1% ? 2 60Hz ? 1cyc. ? 3 Mounted on a ceramic board
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
< MOSFET >
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 12V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
Y fs
C iss
C oss
?
? 0.7
?
?
?
0.7
?
?
?
?
280
310
570
?
150
20
? 1
? 2.0
390
430
800
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
V DS = ? 20V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 1A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1A, V GS = ? 4V
I D = ? 0.5A, V GS = ? 2.5V
V DS = ? 10V, I D = ? 0.5A
V DS = ? 10V
V GS =0V
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
Q g
Q gs
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
20
9
8
25
10
2.1
0.5
?
?
?
?
?
?
?
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
f=1MHz
I D = ? 0.5A
V DD ? 15V
V GS = ? 4.5V
R L =30 ?
R G =10 ?
V DD ? 15V V GS = ? 4.5V
I D = ? 1A
Gate-drain charge
Q gd
?
0.5
?
nC
R L =15 ?
R G =10 ?
? Pulsed
< Body diode (source ? drain) >
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 0.4A, V GS =0V
< Di >
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V F
I R
Min.
?
?
?
Typ.
?
?
?
Max.
0.36
0.47
100
Unit
V
V
μ A
I F =0.1A
I F =0.5A
V R =20V
Conditions
Rev.B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| US5U35TR | 功能描述:MOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U38 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOSFET |
| US5U38TR | 功能描述:MOSFET P Chan-20V+/-1A 2.5V Drive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U3TR | 功能描述:MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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