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参数资料
| 型号： | US5U30TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 |
| 产品目录绘图： | US5U Series TUMT-5 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TUMT5 |
| 供应商设备封装： | TUMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | US5U30DKR |
US5U30
Transistor
8
7
6
Ta=25 C
V DD = ? 15V
I D = ? 2.5A
R G =10 ?
Pulsed
1000
100
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
100
10
1
125 ° C
75 ° C
5
4
10
0.1
3
0.01
25 ° C
2
1
0.001
? 25°C
1
0
0
1
2
3
4
5
6
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.0001
0
10
20
30
40
Total Gate Charge : Qg [ nC ]
Forward Voltage : V F [ V ]
Reverse Voltage : V R [ V ]
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
Measurement circuits
Fig.11 Forward Temperature Characteristics
V GS
10%
50%
Fig.12 Reverse Temperature Characteristics
Pulse Width
50%
90%
10%
10%
V GS
I D
V DS
V DS
90%
90%
R G
D.U.T.
R L
V DD
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t on
t off
Fig.13 Switching Time Measurement Circuit
Fig.14 Switching Waveforms
V G
Qg
V GS
V GS
I D
V DS
Qgs
Qgd
I G (Const)
R G
D.U.T.
R L
V DD
Charge
Fig.15 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.16 Gate Charge Waveforms
Rev.B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US5U35TR | MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 |
| US5U38TR | MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5 |
| US5U3TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 |
| US6J11TR | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
| US6K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US5U35 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+SBD MOSFET |
| US5U35TR | 功能描述:MOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U38 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOSFET |
| US5U38TR | 功能描述:MOSFET P Chan-20V+/-1A 2.5V Drive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US5U3TR | 功能描述:MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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