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参数资料
| 型号： | US5U38TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5 |
| 产品目录绘图： | US5U Series TUMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TUMT5 |
| 供应商设备封装： | TUMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US5U38DKR |
US5U38
Transistor
Electrical characteristic curves
10
V DS = ? 10V
Pulsed
10000
V GS = ? 4.5V
Pulsed
10000
V GS = ? 4V
Pulsed
1
0.1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1000
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
1000
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.01
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
GATE ? SOURCE VOLTAGE : -V GS [ V ]
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
100
0.01 0.1 1
DRAIN CURRENT : ? I D [ A ]
Fig.2 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Drain Current ( Ι )
10
100
0.01 0.1 1 10
DRAIN CURRENT : ? I D [ A ]
Fig.3 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Drain Current ( ΙΙ )
10000
1000
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = ? 2.5V
Pulsed
1000
750
500
I D=? 0.5A
? 1A
Ta=25 ° C
Pulsed
10000
1000
V GS =?2.5V
? 4 . 0V
? 4 . 5V
Ta=25 C
Pulsed
250
100
0.01
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
12
100
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : ? I D [ A ]
Fig.4 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Drain ? Current ( ΙΙΙ )
GATE ? SOURCE VOLTAGE : ? V GS [ V ]
Fig.5 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Gate ? Source Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D [ A ]
Fig.6 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Drain Current
10
V GS =0V
Pulsed
1000
Ta=25 C
f=1MHZ
V GS =0V
10000
Ta=25 ° C
V DD = ? 15V
V GS = ? 4.5V
R G =10 ?
1000
Pulsed
1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
100
C iss
100
t f
t d ( off )
0.1
10
t d ( on )
t r
C rss
C oss
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
SOURCE ? DRAIN VOLTAGE : ? V SD [ V ]
Fig.7 Reverse Drain Current
vs. Source-Drain Current
DRAIN ? SOURCE VOLTAGE : ? V DS [ V ]
Fig.8 Typical Capactitance
vs.Drain ? Source Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D [ A ]
Fig.9 Switching Characteristics
3/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| US5U3TR | 功能描述:MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| US602FL | 制造商:Telex 功能描述:MICROPHONE -60DB NOISE CANCELLING 5KHZ 制造商:TELEX COMMUNICATIONS 功能描述:MICROPHONE, -60DB, NOISE CANCELLING 5KHZ 制造商:TELEX COMMUNICATIONS 功能描述:MICROPHONE, -60DB, NOISE CANCELLING 5KHZ; Output Impedance:150ohm; Sensitivity:-60 dB; Device Type:Microphone; Frequency:5kHz; Leaded Process Compatible:No; Length:98.4mm; Peak Reflow Compatible (260 C):No ;RoHS Compliant: No |
| US60A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RECTIFIERS ASSEMBLIES |
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