- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录532 > US6K4TR (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | US6K4TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 |
| 产品目录绘图： | TUMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US6K4DKR |
US6K4
Transistors
1.8V Drive Nch+Nch MOSFET
US6K4
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TUMT6
Features
1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package.
2) High-speed switching, Low On-resistance.
3) 1.8V drive.
Abbreviated symbol : K04
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
Type
US6K4
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
? 2
(6)
(5)
? 1
(4)
? 2
? 1
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Drain
(1)
(2)
(3)
(4) Tr2 Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Tr2 Gate
(6) Tr1 Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
20
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 1.5
± 3.0
0.6
2.4
A
A
A
A
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D
Tch
Tstg
? 2
1.0
0.7
150
? 55 to + 150
W / TOTAL
W / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
125
179
Unit
° C/W / TOTAL
° C/W / ELEMENT
? Mounted on a ceramic board
Rev.A
1/3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US6M11TR | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 |
| US6M1TR | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 |
| US6U37TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| USP3021RA | THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE |
| USP3986RC | THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US6KB80-7000 | 功能描述:整流器 6.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| US6KB80R | 功能描述:桥式整流器 Diode-Bridge Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| US6KB80R-7000 | 功能描述:桥式整流器 6.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| US6M1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching |
| US6M1_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。