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参数资料
| 型号： | US6M1TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 |
| 产品目录绘图： | TUMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A，1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US6M1DKR |
US6M1
Transistors
4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET
US6M1
Structure
Silicon N-channel / P-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TUMT6).
Application
Power switching, DC / DC converter.
Packaging specifications
Dimensions (Unit : mm)
TUMT6
Abbreviated symbol : M01
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(6)
(5)
? 1
(4)
US6M1
? 2
? 1
? 2
(1) Tr1 (Nch) Source
(2) Tr1 (Nch) Gate
(1)
(2)
(3)
(3) Tr2 (Pch) Drain
(4) Tr2 (Pch) Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Tr2 (Pch) Gate
(6) Tr1 (Nch) Drain
Parameter
Symbol
Limits
Tr1 : Nchannel Tr2 : Pchannel
Unit
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
30
20
? 20
? 12
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 1.4
± 5.6
0.6
5.6
± 1
± 4
? 0.4
? 4
A
A
A
A
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
1
0.7
150
? 55 to + 150
W / TOTAL
W / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board.
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to ambient
? 2 Mounted on a ceramic board.
Rth
(ch-a) ?
125
179
° C / W /TOTAL
° C / W / ELEMENT
Rev.B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| US6U37TR | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| USP3021RA | THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE |
| USP3986RC | THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE |
| USUG1000-103GRB | THERMISTOR NTC 10K 2% DO-35 UL |
| USUR1000-104G-06 | THERMSTR NTC 100K 2% RING LUG UL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| US6M2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Pch(20V,1A)Nch(30V,1.5A),TUMT6 |
| US6M2_07 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
| US6M2TR | 功能描述:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| US6T4 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier |
| US6T4_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier |
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