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参数资料
| 型号： | US6K4TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 |
| 产品目录绘图： | TUMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | US6K4DKR |
US6K4
Transistors
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 10V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
20
?
?
V
I D = 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
0.3
?
?
?
?
?
130
170
220
1
1.0
180
240
310
μ A
V
m ?
m ?
m ?
V DS = 20V, V GS =0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 1.5A, V GS = 4.5V
I D = 1.5A, V GS = 2.5V
I D = 0.8A, V GS = 1.8V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
?
?
?
?
?
1.6
?
?
?
?
?
?
?
?
110
18
15
5
5
20
3
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, I D = 1.5A
V DS = 10V
V GS =0V
f=1MHz
I D = 1.0A
V DD 10V
V GS = 4.5V
R L = 10 ?
R GS =10 ?
Total gate charge
Q g
?
?
1.8
2.5
nC
V DD
10V
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs
Q gd
?
?
?
?
0.3
0.3
?
?
nC
nC
V GS = 4.5V
I D = 1.5A
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 0.6A, V GS =0V
Rev.A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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