| 型号： | V30120S-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 155K |
| 描述： | DIODE 30A 120V SIGNLE SCHOTTKY |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 120V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBC28DRTF-S13 | CONN EDGECARD 56POS .100 EXTEND |
| UGF15JT-E3/45 | DIODE 15A 600V 35NS SGL TO220-2 |
| PLF1A471MDO1 | CAP ALUM 470UF 10V 20% RADIAL |
| UGF15HT-E3/45 | DIODE 15A 500V 35NS SGL TO220-2 |
| LT1579CS-3.3#TRPBF | IC LDO REG SMART DUAL3.3V 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V30120S-E3-4W_13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V30120SG | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V30120SG_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V30120SG-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| V30120SG-E3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |