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参数资料
| 型号： | V50100PW-M3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 82K |
| 描述： | DIODE SCHTKY DUAL 100V 25A TO3PW |
| 标准包装： | 750 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 840mV @ 25A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 25A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PW |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | V50100PW-M3/4WGI |
V50100PW
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 20-Dec-13
3
Document Number: 89181
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Instantaneous
Forward Voltage (V)
0 0.2 0.4 0.6 0.7 0.80.1 0.3 0.5
100
10
1
0.1
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
In
s
tantaneou
s
Forward Current (A)
20 30 40 50 60 70 80 90 100
1
0.1
0.01
0.001
100
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e Current (mA)
110100
0.1
Reverse Voltage (V)
Junction Cap
acitance (p
1000
F)
10 000
100
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
10
1
0.1
Tran
s
ient Thermal Impedance (°C/W)
TO-3PW
0.645 (16.38)
0.625 (15.87)
0.323 (8.20)
0.313 (7.95)
0.245 (6.23)
0.225 (5.72)
0.840 (21.34)
0.820 (20.83)
0.170 (4.32)
? 0.146 (3.71)
? 0.136 (3.45)
0.090 (2.29)
0.080 (2.03)
0.131 (3.33)
0.121 (3.07)
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
0.225 (5.72)
0.205 (5.21)
0.565 (14.35)
0.545 (13.84)
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.551 (14.00)
0.537 (13.64)
0.077 (1.96)
0.063 (1.60)
0.079 (2.01)
0.065 (1.65)
0.467 (11.86)
0.453 (11.51)
5° Ref.
Both Sides
R0.155 (R3.94)
R0.145 (R3.68)
3° Ref.
30° Ref.
10° Typ.
Both Sides
3° Ref.
3° Ref.
0.050 (1.27)
0.175 (4.45)
0.165 (4.19)
0.030 (0.75)
0.020 (0.50)
0.098 (2.50)
0.083 (2.12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V60200PGW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 200V 30A TO3PW |
| V80100PW-M3/4W | DIODE SCHTKY DUAL 100V 40A TO3PW |
| VB20200C-E3/8W | DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY |
| VB20200G-E3/8W | DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY |
| VBT1045CBP-E3/8W | DIODE SCHOTTKY 5A 45V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V50-14.45M | 功能描述:分立半导体模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| V50-14.45N | 功能描述:分立半导体模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| V50-14.45S | 功能描述:分立半导体模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| V50-14.45S3 | 功能描述:分立半导体模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| V50-14.60M | 功能描述:分立半导体模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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