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参数资料
| 型号： | V54C3128404VBLF8PC |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| 封装： | LEAD FREE, MO-210, FBGA-60 |
| 文件页数： | 11/54页 |
| 文件大小： | 693K |
| 代理商： | V54C3128404VBLF8PC |
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V54C3128(16/80/40)4VB Rev. 1.2 January 2005
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VB
Timing Diagrams
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Interval
4.1 Read to Write Interval
4.2 Minimum Read to Write Interval
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
5. Burst Write Operation
6. Write and Read Interrupt
6.1 Write Interrupted by a Write
6.2 Write Interrupted by Read
7. Burst Write & Read with Auto-Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
8. Burst Termination
8.1 Termination of a Burst Write Operation
8.2 Termination of a Burst Write Operation
9. AC- Parameters
9.1 AC Parameters for a Write Timing
9.2 AC Parameters for a Read Timing
10. Mode Register Set
11. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
12. Power Down Mode
13. Self Refresh (Entry and Exit)
14. Auto Refresh (CBR)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C365804VCT8L | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| V55C2256164VGLK-10H | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V585ME07 | VCO, 1100 MHz - 2100 MHz |
| V585ME14 | VCO, 1470 MHz - 1875 MHz |
| V58C2128404SBLT6I | 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| V54C3128404VT | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128804VAT | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125MHz 3.3 VOLT 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 8 |
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| V54C3128804VAT8 | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125MHz 3.3 VOLT 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 8 |
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