- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录202172 > V54C3256804VBS7 (PROMOS TECHNOLOGIES INC) 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | V54C3256804VBS7 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| 封装： | MO-210, FBGA-60 |
| 文件页数： | 17/50页 |
| 文件大小： | 728K |
| 代理商： | V54C3256804VBS7 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页当前第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页
24
V54C3256(16/80/40)4VB Rev. 1.0 December 2003
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3256(16/80/40)4VB
5. Burst Write Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
6.1 Write Interrupted by a Write
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
WRITE A
NOP
I/O’s
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Extra data is ignored after
The first data element and the Write
are registered on the same clock edge.
termination of a Burst.
don’t care
COMMAND
NOP
WRITE A
WRITE B
NOP
I/O’s
DIN A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
NOP
DIN B3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
1 Clk Interval
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C365164VCT8PC | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| V55C2256164VBT10I | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| V55C3256164VGLK-10IPC | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V55C3256164VGLK-7HPC | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V580MC04 | VCO, 850 MHz - 890 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V54C3256804VBT | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256804VS | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C3256804VT | 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4 |
| V54C328404VCT7 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x4 SDRAM |
| V54C328404VCT8 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x4 SDRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。