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参数资料
| 型号： | V58C2256404SHLH4I |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MO-233, BGA-60 |
| 文件页数： | 9/60页 |
| 文件大小： | 1125K |
| 代理商： | V58C2256404SHLH4I |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SH
V58C2256(804/404/164)SH Rev. 1.1 July 2010
Precharge Timing During Read Operation
For the earliest possible Precharge command without interrupting a Read burst, the Precharge command
may be issued on the rising clock edge which is CAS latency (CL) clock cycles before the end of the Read
burst. A new Bank Activate (BA) command may be issued to the same bank after the RAS precharge time
(tRP). A Precharge command can not be issued until tRAS(min) is satisfied.
Read with Precharge Timing as a Function of CAS Latency
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
D0
D1
D2
D3
NOP
Read
NOP
PreA
NOP
BA
NOP
CK, CK
Command
DQS
DQ
tRAS(min)
tRP(min)
BA
NOP
T9
D0
D1
D2
D3
DQS
DQ
CAS Latency=2
CAS Latency=2.5
(CAS Latency = 2, 2.5; Burst Length = 4)
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PDF描述 |
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