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参数资料
| 型号： | VB20200C-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 155K |
| 描述： | DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.6V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
New Product
V20200C, VF20200C, VB20200C & VI20200C
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89072
Revision: 24-Jun-09
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8
1.0 1.2 1.4 1.6
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TA
= 100 °C
0.0001
0.01
0.1
1
10
100
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
TA
= 100 °C
0.001
10
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
V20200C
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
VF20200C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB560/4 | RECTIFIER SCHOTTKY 5A60V DO201AD |
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| MI3060C-E3/4W | DIODE SCHOT 30A 60V DUAL TO262AA |
| MBRF2060CTHE3/45 | DIODE SCHOTTKY 20A 60V ISO-DUAL |
| MBRF2060CT-E3/45 | DIODE SCHOTTKY 20A 60V ISO-DUAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VB20200C-E3-8W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VB20200G | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VB20200G-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual 110 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VB20200G-E3/8W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual 110 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VB20-2031 | 功能描述:RF 连接器 BNC R/A Crimp Plug RG59/62 RoHS:否 制造商:Bomar Interconnect 产品:Connectors 射频系列:BNC 型式:Jack (Female) 极性: 触点电镀:Gold 阻抗: 端接类型:Solder 主体类型:Straight Bulkhead 电缆类型: |
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