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参数资料
型号： VB30120SG-E3/8W
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 1/3页
文件大小： 150K
描述： DIODE 30A 120V SIGNLE SCHOTTKY
标准包装： 800
系列： TMBS®
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 120V
电流 - 平均整流 (Io)： 30A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.28V @ 30A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 500µA @ 120V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： TO-263AB
包装： 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQVHigh voltage Trench Mos Barrier Schottky RectifierUltra Low VF = 0.47 v at IF = 5 A
www.vishay.oom
V301 2osG, vF3o1 2osG, vB3o1 2osG, vI3o12osG
Vishay General Semiconductor
TMBs?
TO-22lJAB
ITO-22oAB
vao12osG vF3o12oSG
PW‘ PlN 2 PW‘ PlN 2
EH Sale
PIN 3 CASE PIN 3
To-z63AB To-2szAA
vB3o12osG
NC 0 K
A TSlNKPRIMARY cHARAcTERIsTIcs
M
n
To—220AB, ITo—220AB,
Package TO-263AB TO-262AA
Diodevariations 3Document Number: 89011
FEATURES
0 Trench MOS Schottky technology
0 Low forward voltage drop, low power losses
0 High efficiency operation @
. Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum ROHSpeak of 245 Dc (for TO?263AB package) COMPLIANT
. solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22?B106 (for TO?220AB, ITO—220AB,
and TO—262AA package)
0 Material categorization: For definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
WPICAL APPLIcATIoNs
For use in high frequency converters, switching power
supplies, freewheeling diodes, OR—ing diode, Dc/DC
converters and reverse battery protection.
MEcHANIcAL DATA
Case: TO—220AB, lTO—220AB,
TO?262AAMolding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial gradeTerminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD?002 and JESD 22?B102
E3 Suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: As marked
Mounting Torque: 10 in—lbs max.
TO?263AB and
MAXIMUM RATmGs (TA = 25 cc unless otherwise noted)
PARAMETER VF30120SG VB30120SG
Max. repetitive peak reverse voltage
Max. average forvvard rectified current (fig. 1)Peak fonivard surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Non-repetitive avalanche energy at T) : 25 “C, L : 60 mH
Peak repetitive reverse current
attp:2us,1kHz,TJ:38°Ct2°CVoltage rate of change (rated VR)
Isolation voltage (ITO-220AB only)
from terminal to neatsinkt : 1 minOperating junction and storage temperature range
-40to+15ORevision: 11-Jul-13
For technical questions within your region: DiodesArnericas@vishay.corn, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.comzdoc?9100!!
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PDF描述
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VI30120S-E3/4W DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-262AA
VS-1N5817 DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO-204AL
VSB2200S-M3/54 DIODE SCHOTTKY 200V 2A AXIAL
相关代理商/技术参数
参数描述
VB30150C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
VB30150C-E3/4W 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
VB30150C-E3/8W 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
VB30150C-E3-4W 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VB30150C-E3-8W 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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