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参数资料
| 型号： | VB40150C-E3/4W |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | VB40150C-E3/4W |
New Product
V40150C, VF40150C, VB40150C & VI40150C
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89048
Revision: 24-Jun-09
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Instan
taneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
0
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
100
10
1
0.1
T
A = 100 °C
T
A = 25 °C
0.6
1.0
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
1.4
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.1
0.01
0.0001
100
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
0.001
T
A = 150 °C
T
A = 25 °C
T
A = 100 °C
T
A = 125 °C
1000
10 000
0.1
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
10
100
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
0.1
0.01
0.1
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
V(B,I)40150C
Junction to Case
1
10
0.1
0.01
0.1
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
VF40150C
Junction to Case
1
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