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参数资料
| 型号： | VBT10200C-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 140K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.6V @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | VBT10200C-E3/4WGI |
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2
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Revision: 09-Dec-09
VT10200C, VFT10200C, VBT10200C, VIT10200C
Vishay General Semiconductor
New Product
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ≤
40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Maximum Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Device
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Breakdown voltage IR
= 1.0 mA T
A
= 25 °C V
BR
200 (minimum) - V
Instantaneous forward voltage per diode
IF
= 2.5 A
TA
= 25 °C
= 5.0 A 1.10 1.60
VF
(1)
0.81 -
V
IF
IF
= 2.5 A
TA
= 125 °C
= 5.0 A 0.65 0.73
0.58 -
IF
Reverse current per diode
VR
= 180 V
TA
= 25 °C
IR
(2)
= 25 °C - 150 μA
1.7 - μA
TA
= 125 °C 1.8 - mA
VR
= 200 V
TA
TA
= 125 °C 2.5 10 mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL VT10200C VFT10200C VBT10200C VIT10200C UNIT
Typical thermal resistance
per diode
R
per device 2.5 5.5 2.5 2.5θJC
3.5 7.0 3.5 3.5
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB VT10200C-E3/4W 1.88 4W 50/tube Tube
ITO-220AB VFT10200C-E3/4W 1.72 4W 50/tube Tube
TO-263AB VBT10200C-E3/4W 1.37 4W 50/tube Tube
TO-263AB VBT10200C-E3/8W 1.37
8W 800/reel Tape and reel
TO-262AA VIT10200C-E3/4W 1.44 4W 50/tube Tube
Case Temperature (°C)
Average Forward Rectifed Current (A)
12
4
0
0 15025 50 75 100 125
VFT10200C
Mounted on Specifc Heatsink
2
10
8
6
V(B,I)T10200C
Resistive or Inductive Load
0
2
4
7
10
0111
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Average Forward Current (A)
Average Power Di
ss
pation (W)
3
5
9
1
6
8
D = tp/T tp
T
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| VBT1045BP-E3/8W | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:TMBS® 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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