- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20676 > VBT10200C-E3/4W (Vishay General Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | VBT10200C-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 140K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.6V @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | VBT10200C-E3/4WGI |
Document Number: 89177 For technical questions within your region, please contact one of the following: www.vishay.com
Revision: 09-Dec-09
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
VT10200C, VFT10200C, VBT10200C, VIT10200C
Vishay General Semiconductor
New Product
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Device
Instantaneous
Forward Voltage (V)
0 0.2 0.4 0.8 1.2 1.60.6 1.0
1.4
100
10
0.1
In
s
tantaneou
s
Forward Current (A)
1
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
TA
= 100 °C
20 30 40
50
60 70 80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e Current (mA)
0.1
0.01
0.001
0.0001
10
1
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
TA
= 100 °C
1000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
Junction
Capacitanc
e (pF)
10
100
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
10
1
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Tran
s
ient Thermal Impedance (°C/W)
V(B,I)T10200C
Junction to Case
VFT10200C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R0.25D-2412/H-R | CONV DC/DC 0.25W 24VIN +/-12VOUT |
| XRP7714ILB-0X18-F | IC REG 5OUT BCK/LINEAR 40TQFN |
| H7MFH-3710M | CABLE D-SUB-HMP37H/AE37M/HFP37H |
| HI3-0548-5Z | IC MULTIPLEXER 8X1 16PDIP |
| GBE05DHHN | CONN EDGECARD 10POS 1MM DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VBT10200C-E3-8W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VBT10-2031 | 功能描述:RF 连接器 Twin BNC Plug RoHS:否 制造商:Bomar Interconnect 产品:Connectors 射频系列:BNC 型式:Jack (Female) 极性: 触点电镀:Gold 阻抗: 端接类型:Solder 主体类型:Straight Bulkhead 电缆类型: |
| VBT1045BP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection |
| VBT1045BP-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 45V TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VBT1045BP-E3/8W | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:TMBS® 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。