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参数资料
型号： VF20100SG-E3/4W
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 1/3页
文件大小： 144K
描述： DIODE 20A 100V SGL SCHOT TO220-3
标准包装： 1,000
系列： TMBS®
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 100V
电流 - 平均整流 (Io)： 20A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.07V @ 20A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 350µA @ 100V
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 隔离片
供应商设备封装： ITO-220AB
包装： 管件
New Product
‘? v2o1oosG, vF2o1oosG, vB2o1oosG, vl2o1oosG7 Vishay General SemiconductorHigh-voltage Trench Mos Barrier schottky RectifierUltra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
? FEATuREsTMBS - Trench Mos schottky technology
To-22oAB ITO-22oAB
- Low forward voltage drop, low power losses
- High efficiency operation
- Low thermal resistance ROHS
_ COMPLIANT
- Meets MSL level 1, perJ-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for To-263AB package)
- solder bath temperature 275 °c maximum, 10 s, per JESD
Vzmoosc VFZMOOSG 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA
PlN1 PIN 2 PIN 1 PW 2 package)
P‘N3:j”"‘OcASE PlN3::l>’l‘O - compliant to FtoHS directive 2002/95/EC and inaccordance to WEEE 2002/96/EC
To-263AB TO-ZSZAA
TYPlcAL APPLIcATIoNs
For use in high frequency converters, switching power
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc—to-dc
convel‘ters and reverse battery protection.
vazoroose vrzmoose MEcHANIcAL DATA
NC 0 K PIN 1 en 2 case: TO—22oAB, ITO-220AB, To-263AB, and To-262AA
A o_>lJ—H(§nsrNK Fm ::’7>‘%K) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability ratingBase P/N—E3 - ROHS compliant, commercial grade
PRIMARY cHARAcTERIsTIcs Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J—STD—002 and JESD 22-B102E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: As marked
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum
MAxlMuM RATINGs (TA = 25 cc unless otherwise noted)
PARAMETER v2o1oosG vF2o1oosG vB2o1oosG vl2o1oosG
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current (fig. 1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Peak repetitive reverse currentDocument Number: 88966 For technical questions within your region, please Contact one of the following: www.viShay.com
attp:2l1S, 1 kHz,TJ:38°C12°c
Voltage rate of change (rated VR)
Isolation voltage (ITO-22OAB only)
from terminal to heatsinkt: 1 minOperating junction and storage temperature range
Non-reperrtrveavatanoheWe-emfL-6omH me
-40to+150
Revision: 08-Oct-09 DiodesAmericas@vishaycom, DiodesAsia@vishay_com, DiodesEurope@vishay.com 1
相关PDF资料
PDF描述
EBM12DCAN CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
EBM12DCAH CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
TH3E106M050E0500 CAP TANT 10UF 50V 20% 2917
R1S8-053.3/P CONV DC/DC 1W 05VIN 3.3VOUT
R1S8-0524/P CONV DC/DC 1W 05VIN 24VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
VF20100SG-M3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,100V,TRENCH SKY RECT.
VF20100S-M3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,100V,TRENCH SKY RECT.
VF20120C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF20120C_10 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF20120C-E3/4W 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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