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参数资料
| 型号： | VI20200C-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 155K |
| 描述： | DIODE 20A 200V SCHOTTKY TO262AA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.6V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
New Product
V20200C, VF20200C, VB20200C & VI20200C
Vishay General Semiconductor
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 89072
Revision: 24-Jun-09
2
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width
≤
40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Breakdown voltage IR
= 1.0 mA T
A
= 25 °C V
BR
200 (minimum) - V
Instantaneous forward voltage per diode
(1)
IF
= 5 A
IF
= 10 A
TA
= 25 °C
VF
0.85
1.21
-
1.60
V
IF
= 5 A
IF
= 10 A
TA
= 125 °C
0.60
0.68
-
0.76
Reverse current per diode
(2)
VR
= 180 V
TA
= 25 °C
TA
= 125 °C
IR
6
3.6
-
-
μA
mA
VR
= 200 V
TA
= 25 °C
TA
= 125 °C
-
5.6
150
18
μA
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL V20200C VF20200C VB20200C VI20200C UNIT
Typical thermal resistance per diode RθJC
2.8 5.0 2.8 2.8 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB V20200C-E3/4W 1.88 4W 50/tube Tube
ITO-220AB VF20200C-E3/4W 1.75 4W 50/tube Tube
TO-263AB VB20200C-E3/4W 1.37 4W 50/tube Tube
TO-263AB VB20200C-E3/8W 1.37 8W 800/reel Tape and reel
TO-262AA VI20200C-E3/4W 1.45 4W 50/tube Tube
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve
Case Temperature (°C)
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
25
20
15
10
5
0
0
25 50 75 100 125 150 175
V20200C
Resistive or Inductive Load
VF20200C
Figure 2. Forward Power Loss Characteristics Per Diode
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
02468
10 12
D = 0.1D = 1.0
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5D = 0.8
Average Forward Current (A)
A
v
erage Po
w
er Loss (
W
)
D = tp/T tp
T
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PDF描述 |
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| MBRB25H35CT-E3/45 | DIODE ARR SCHOTTKY 35V 15A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VI20200G | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VI20200G-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual 110 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VI20200G-E3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VI-202CU | 制造商:VICOR 制造商全称:Vicor Corporation 功能描述:DC-DC Converters 50 to 200 Watts |
| VI-202-CU-F1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Analog IC |
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