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参数资料
| 型号： | VMO650-01F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 690A MODULE |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 690A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 130mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 59000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-DCB |
| 供应商设备封装： | Y3-DCB |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | Q1434129 VM0650-01F |
HiPerFET TM
VMO 650-01F
V DSS
= 100 V
MOSFET Module
N-Channel Enhancement Mode
G
D
I D25 = 690 A
R DS(on) = 1.8 m W
E 72873
Preliminary Data
KS
S
D
S
G
KS
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 10 k W
100
100
V
V
V GS
V GSM
I D25
I D80
Continuous
Transient
T S = 25 ° C
T S = 80 ° C
± 20
± 30
690
520
V
V
A
A
D = Drain S = Source
KS = Kelvin Source G = Gate
I DM
T S = 25 ° C
pulse width limited by T JM
2780
A
P D
T C = 25 ° C
T S = 25 ° C
2500
1740
W
W
Features
T J
T JM
T stg
-40 ...+150
150
-40 ... +125
° C
° C
° C
q
q
q
International standard package
D irect C opper B onded Al 2 O 3 ceramic
base plate
Isolation voltage 3600 V~
V ISOL
50/60 Hz
I ISOL ￡ 1 mA
t = 1 min
t=1s
3000
3600
V~
q
q
Low R DS(on) HDMOS TM process
Low package inductance for high
speed switching
q
Kelvin Source contact for easy drive
M d
Mounting torque (M6)
Terminal connection torque (M5)
2.25-2.75/20-25 Nm/lb.in.
2.5-3.7/22-33 Nm/lb.in.
Applications
Weight
typical including screws
250
g
q
AC motor speed control for electric
vehicles
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 7 mA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
100
V
q
q
q
DC servo and robot drives
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
V GS(th)
V DS = 20 V, I D = 130 mA
3
6
V
Advantages
I GSS
V GS = ± 20 V DC, V DS = 0
± 500 nA
q
Easy to mount
I DSS
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
3.5 mA
14 mA
q
q
q
Space and weight savings
High power density
Low losses
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.8 m W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
1-2
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