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参数资料
| 型号： | VMO650-01F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 690A MODULE |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 690A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 130mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 59000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-DCB |
| 供应商设备封装： | Y3-DCB |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | Q1434129 VM0650-01F |
VMO 650-01F
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
min. typ. max.
5
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
R thJC
R thJS
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 pulsed
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 W (external)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
with 30 m m heat transfer paste
390
59
20.8
10.4
250
500
800
200
2300
455
1110
S
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.048 K/W
0.072 K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ. max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
690
2760
A
A
V SD
t rr
I F = I S ; V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
I F = I S , -di/dt = 1000 A/ m s, V DS = 0.5 ? V DSS
0.9
300
1.2
V
ns
IXYS MOSFETs IXYS IGBTs rights reserved the following U.S.patents:
are covered by one of
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| VMOB70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MOBILE COMMUNICATIONS |
| VMODBB_RM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Diigiillentt Vmod Breadboard Refference Manuall |
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