参数资料
型号: VN2222LLRLRA
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
产品变化通告: Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装: 2,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 150mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V
功率 - 最大: 400mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 带卷 (TR)
VN2222LLG
2
1
1.8
1.6
1.4
1.2
T A = 25 ° C
V GS = 10 V
9V
8V
0.8
0.6
V DS = 10 V
- 55 ° C
125 ° C
25 ° C
1
0.8
0.6
0.4
0.2
7V
6V
5V
4V
3V
0.4
0.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.4
2.2
V DS , DRAIN- SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Ohmic Region
1.2
1.15
V GS , GATE - SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 200 mA
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
V DS = V GS
I D = 1 mA
0.4
-60
-20
+20
+60
+100
+140
0.7
-60
-20
0
+20 +60
+100
+140
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Temperature versus Static
Drain ? Source On ? Resistance
http://onsemi.com
3
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Temperature versus Gate
Threshold Voltage
相关PDF资料
PDF描述
3682S-1-202L POT 2.0K OHM CERM 2W +/-100 PPM
ASA1-72.000MHZ-L-T OSC 72.000 MHZ 2.5V SMD
2-1624200-0 POT 2.5K OHM 1W 10% TOP SLOT
B32559C8152K289 CAP FILM 1500PF 630VDC RADIAL
407F35E036M0000 CRYSTAL 36.000000 MHZ 20PF SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
VN2222LLRLRAG 功能描述:MOSFET 60V 150mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VN2222LLRLRM 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
VN2222LL-TA 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin TO-226AA T/R
VN2222LLTR1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
VN2222LL-TR1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin TO-226AA T/R