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参数资料
| 型号： | W18NB40 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
| 中文描述： | N沟道400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | W18NB40 |
3/7
STW18NB40/STH18NB40FI
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 200 V, I
D
= 9.2 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 320V, I
D
= 18.4 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
27
ns
t
r
14
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
60
84
nC
Gate-Source Charge
16
nC
Gate-Drain Charge
28.3
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 320V, I
D
= 18.4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
13
ns
Fall Time
15
ns
Cross-over Time
27
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
18.4
A
Source-drain Current (pulsed)
73.6
A
Forward On Voltage
I
SD
= 18.4 A, V
GS
= 0
I
SD
= 18.4 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
480
ns
Reverse Recovery Charge
5.5
μC
Reverse Recovery Current
23
A
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