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参数资料
| 型号： | W19B160BBBBH |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 28/48页 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | W19B160BBBBH |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页
W19B160BT/B DATA SHEET
- 34 -
9.4.3
Read-Only Operations
70nS
90nS
PARAMETER
SYM.
TEST Setup
Min. Max. Min. Max.
Unit
Read Cycle Time
TRC
70
-
90
-
ns
Address to Output Delay
TACC
#CE = VIL,
#OE = VIL
-
70
-
90
ns
Chip Enable to Output Delay
TCE
#OE = VIL
-
70
-
90
ns
Output Enable Access Time
TOE
-
30
-
35
ns
Chip Enable to Output High Z
TDF
-
25
-
30
ns
Output Enable to Output High Z
TDF
-
25
-
30
ns
Output Hold Time From Address. #OE or
#CE Whichever Occurs First
TOH
0
-
0
-
ns
Read
0
-
0
-
ns
Output Enable Hold
Time
Toggle and #Data
polling
TOEH
10
-
10
-
ns
Note :
Not 100 % tested
9.4.4
Read-Only Operations
Test Condition
70nS
90nS
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, CL (including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0 - 3.0
V
Input timing measurement reference levels
1.5
V
Output timing measurement reference levels
1.5
V
Note :
Not 100 % tested
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W19B160BT7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BT7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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