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参数资料
| 型号： | W19B320ABB8L |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 33/53页 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ABB8L |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页当前第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页
W19B320AT/B
Publication Release Date: December 27, 2005
- 39 -
Revision A4
8.5 Read-Only Operations
70NS
PARAMETER
SYM.
TEST SETUP
MIN.
MAX.
UNIT
Read Cycle Time
TRC
70
-
ns
Address to Output Delay
TACC
#OE, #CE =VIL
-
70
ns
Chip Enable to Output Delay
TCE
#OE, = VIL
-
70
ns
Output Enable to Output Delay
TOE
-
30
ns
Chip Enable to Output High Z
TDF
-
16
ns
Output Enable to Output High Z
TDF
-
16
ns
Output Hold Time From Address, #OE or
#CE, Whichever Occurs First
TOH
0
-
ns
Read
0
-
ns
Output Enable Hold Time Toggle and
#Data polling
TOEH
10
-
ns
Note:
Not 100 % tested
8.6 Hardware Reset (#RESET)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
#RESET
PIN
Low
(During
Embedded
Algorithms) to Read Mode
TReady
-
20
μs
#RESET Pin Low (Not During Embedded
Algorithms) to Read Mode
TReady
-
500
ns
#RESET Pulse Width
TRP
500
-
ns
Reset High Time Before Read
TRH
50
-
ns
#RESET Low to Standby Mode
TRPD
20
-
μs
RY/#BY Recovery Time
TRB
0
-
ns
Note:
Not 100 % tested
8.7 Word/Byte Configuration (#BYTE)
70NS
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
#CE to #BYTE Switching Low or High
TELFL/TELFH
-
5
ns
#BYTE Switching Low to Output High Z
TFLQZ
-
16
ns
#BYTE Switching High to Output Active
TFHQV
70
-
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W19B320ATT9G | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| WE128K32-200HSC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32-20G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32-55G4I | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WPDE8M72V-70MDCT | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320ABT7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| W19B320ATB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4M × 8/2M × 16 BITS 3V FLEXIBLE BANK FLASH MEMORY |
| W19B320ATB7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| W19B320ATT7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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