参数资料
型号: W19B320ABB8L
厂商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分类: PROM
英文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
封装: 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
文件页数: 43/53页
文件大小: 479K
代理商: W19B320ABB8L
W19B320AT/B
- 48 -
9.14 Alternate #CE Controlled Write (Erase/Program) Operation Timing
.
D OUT
#DQ7
#RESET
DATA
Address
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
#Data Polling
PA
TWC
TAS
TAH
TWH
t GHEL
TCP
TWS
TDS
TDH
A0 for program
55 for erase
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
TBUSY
TRH
#WE
#OE
#CE
RY/#BY
TCPH
TPW, T ACCP, or TSE
Notes:
1. Firgure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA= program address, SA= sector address, PD= program data.
3. #DQ7 is the complement of the data written to the device. Dout is the data written to the device.
4. Waveforms are for the word mode.
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PDF描述
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参数描述
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W19B320ATT7H 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2
W19B320B 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory