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参数资料
| 型号： | W19B320ATT7M |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48 |
| 文件页数： | 28/53页 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT7M |
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W19B320AT/B
- 34 -
7.10 Erase Algorithm
START
Write Program
Command Sequence
Data Poll to Erasing
Bank from System
Data=FFh?
Erase Completed
(Note1,2)
No
Yes
Embedded
Erase
algorithm
in progress
Notes:
1.
See Command Definitions Table for erase command sequence details.
2. See DQ3 section for the sector erase timer details.
7.11 Data Polling Algorithm
START
Read DQ7-DQ0
Addr=VA
DQ7=Data?
No
DQ5=1?
Yes
No
DQ7=Data?
Read DQ7-DQ0
Addr=VA
FAIL
PASS
Yes
No
Notes:
1. VA = Valid address for programming. During a sector erase operation; a valid address is any sector address within the
sector being erased. During chip erase, a valid address is any non-protected sector address.
2. DQ7 should be rechecked even if DQ5 = “1” because DQ7 may change simultaneously with DQ5.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3DG6416V10D1 | 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144 |
| W3EG7266S265D3 | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| WED3EG72M32S403JD3GG | 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| WED9LAPC2C16P8BI | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, PBGA153 |
| W19B320ABB8L | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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