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参数资料
| 型号： | W25Q16CLSSIG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 60/77页 |
| 文件大小： | 2458K |
| 代理商： | W25Q16CLSSIG |
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W25Q16CL
Publication Release Date: July 08, 2010
- 63 -
Preliminary - Revision A
12.3 Power-up Timing and Write Inhibit Threshold
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNIT
VCC (min) to /CS Low
tVSL(1)
10
s
Time Delay Before Write Instruction
tPUW(1)
1
10
ms
Write Inhibit Threshold Voltage
VWI(1)
1.0
2.0
V
Note:
1. These parameters are characterized only.
Figure 38. Power-up Timing and Voltage Levels
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q40BWUXIG | 4M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
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| WPS1M32-25MSCT | 4M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, SMA72 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W25Q16CLZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.5V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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| W25Q16CVDAAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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