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参数资料
| 型号： | W25Q16CVSFAG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| 封装： | 0.300 INCH, GREEN, SOIC-16 |
| 文件页数： | 13/79页 |
| 文件大小： | 1131K |
| 代理商： | W25Q16CVSFAG |
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W25Q16CV
- 20 -
7.2.2
Instruction Set Table 1 (Erase, Program Instructions)(1)
INSTRUCTION NAME
BYTE 1
(CODE)
BYTE 2
BYTE 3
BYTE 4
BYTE 5
BYTE 6
Write Enable
06h
Write Enable for Volatile
Status Register
50h
Write Disable
04h
Read Status Register-1
05h
(S7–S0)
(2)
Read Status Register-2
35h
(S15-S8)
(2)
Write Status Register
01h
(S7–S0)
(S15-S8)
Page Program
02h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
(D7–D0)
Quad Page Program
32h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
(D7–D0, …)
(3)
Sector Erase (4KB)
20h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Block Erase (32KB)
52h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Block Erase (64KB)
D8h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Chip Erase
C7h/60h
Erase / Program Suspend
75h
Erase / Program Resume
7Ah
Power-down
B9h
Continuous Read Mode
Reset
(4)
FFh
FFh
Notes:
1.
Data bytes are shifted with Most Significant Bit first. Byte fields with data in parenthesis “()” indicate data being
read from the device on the DO pin.
2.
The Status Register contents will repeat continuously until /CS terminates the instruction.
3.
Quad Page Program Input Data:
IO0 = (D4, D0, ……)
IO1 = (D5, D1, ……)
IO2 = (D6, D2, ……)
IO3 = (D7, D3, ……)
4.
This instruction is recommended when using the Dual or Quad “Continuous Read Mode” feature. See section
7.2.19 & 7.2.20 for more information.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q16CVZPAG | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| WF128K32-150G2LC5 | 128K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQFP68 |
| WS128K32L-55G2UCA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WE128K32N-200HSQ | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WF128K32NA-150HC | 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 150 ns, CHIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q16CVSFAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16CVSFIG | 功能描述:IC SPI FLASH 16MBIT 16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q16CVSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16CVSNAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16CVSNAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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