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参数资料
| 型号： | W25Q16VSFIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 38/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 16MBIT 80MHZ 16SOIC |
| 标准包装： | 44 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q16V
10.2.21 Erase Suspend (75h)
The Erase Suspend instruction “75h”, allows the system to interrupt a sector or block erase operation
and then read from or program data to, any other sector or block. The Write Status Register instruction
(01h) and Erase instructions (20h, 52h, D8h, C7h, 60h ) are not allowed during suspend. Erase
Suspend is valid only during the sector or block erase operation. If written during the chip erase or
program operation, the Erase Suspend instruction is ignored. A maximum of time of “tsus” (See AC
Characteristics) is required to suspend the erase operation. The BUSY bit in the Status register will
clear to 0 after Erase Suspend. A power-off during the suspend period will reset the device and release
the suspend state.
Figure 21. Erase Suspend Instruction Sequence
10.2.22 Erase Resume (7Ah)
The Erase Resume instruction must be written to resume the sector or block erase operation after an
Erase Suspend. After issued the BUSY bit in the status register will be set to a 1 and the sector or block
will complete the erase operation. Resume instructions will be ignored unless an Erase Suspend
operation is active.
Figure 22. Erase Resume Instruction Sequence
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q16VSSIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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