参数资料
| 型号： | W25Q32DWZPIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 52/82页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SPI 32MBIT 8WSON |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（4M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON（6x5） |
| 包装： | 管件 |
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W25Q32DW
10.2.28 Power-down (B9h)
Although the standby current during normal operation is relatively low, standby current can be further
reduced with the Power-down instruction. The lower power consumption makes the Power-down
instruction especially useful for battery powered applications (See ICC1 and ICC2 in AC Characteristics).
The instruction is initiated by driving the /CS pin low and shifting the instruction code “B9h” as shown in
Figure 27a & 27b.
The /CS pin must be driven high after the eighth bit has been latched. If this is not done the Power-down
instruction will not be executed. After /CS is driven high, the power-down state will entered within the time
duration of t DP (See AC Characteristics). While in the power-down state only the Release from Power-
down / Device ID instruction, which restores the device to normal operation, will be recognized. All other
instructions are ignored. This includes the Read Status Register instruction, which is always available
during normal operation. Ignoring all but one instruction makes the Power Down state a useful condition
for securing maximum write protection. The device always powers-up in the normal operation with the
standby current of ICC1.
/CS
tDP
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 3
CLK
Mode 0
Mode 0
Instruction (B9h)
DI
(IO 0 )
/CS
Stand-by current
Figure 27a. Deep Power-down Instruction (SPI Mode)
tDP
Power-down current
CLK
Mode 3
Mode 0
0
1
Mode 3
Mode 0
In structio n
B9h
IO 0
IO 1
IO 2
IO 3
Stand-by current
Power-down current
Figure 27b. Deep Power-down Instruction (QPI Mode)
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参数描述 |
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