参数资料
型号: W25Q80BVSNIG
厂商: Winbond Electronics
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文件大小: 0K
描述: IC SPI FLASH 8MBIT 8SOIC
标准包装: 100
系列: SpiFlash®
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: FLASH
存储容量: 8M(1M x 8)
速度: 104MHz
接口: SPI 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
W25Q80BV
7.3
Power-up Timing and Write Inhibit Threshold
Parameter
VCC (min) to /CS Low
Time Delay Before Write Instruction
Write Inhibit Threshold Voltage
Symbol
t VSL (1)
t PUW
(1)
V WI (1)
MIN
10
5
1.0
spec
MAX
2.0
Unit
μs
ms
V
Note:
1. These parameters are characterized only.
VCC
VCC (max)
Program, Erase and Write Instructions are ignored
/CS must track VCC
VCC (min)
Reset
State
tVSL
Read Instructions
Allowed
Device is fully
Accessible
V WI
tPUW
Time
Figure 38a. Power-up Timing and Voltage Levels
Figure 38b. Power-up, Power-Down Requirement
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PDF描述
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参数描述
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W25Q80BVSNIP 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q80BVSSAG 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q80BVSSAP 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q80BVSSIG 功能描述:IC FLASH 8MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6