型号: | W25X40-VSNI |
厂商: | WINBOND ELECTRONICS CORP |
元件分类: | PROM |
英文描述: | 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
封装: | 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
文件页数: | 1/42页 |
文件大小: | 1198K |
代理商: | W25X40-VSNI |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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W25X80-VSNI-G | 8M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
W25X40BVDAIG | 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
W25X40LZPEG | 512K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
W25X20LZPEG | 256K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
W25X64-VSSI | 64M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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W25X40VSNIG | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
W25X40VSNIG T&R | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
W25X40VSNIZ | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
W25X40VSSC | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
W25X40VSSCG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |