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参数资料
| 型号： | W26B02 |
| 英文描述： | SRAM |
| 中文描述： | 静态存储器 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | W26B02 |
Preliminary W26B02
Publication Release Date: February 6, 2002
- 9 -
Revision A1
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(T
A
(
°
C) = -20 to 85 for LE; -40 to 85 for LI)
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
DD
for Data Retention
V
DR
#CS
≥
V
DD
-0.2V
I
DDDR
#CS
≥
V
DD
-0.2V, V
DD =
3.0V
T
CDR
See data retention waveform
1.5
-
-
V
Data Retention Current
-
-
5
μ
A
nS
Chip Deselect to Data
Retention Time
0
-
-
Operation Recovery Time
T
R
T
RC
*
-
-
nS
*
Read Cycle Time
DATA RETENTION WAVEFORM
T
CDR
V
DD
T
R
#CS
V
DR
1.5V
=
-0.2V
DD
V
#CS
=
0.9 x
DD
V
0.9 x
DD
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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