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参数资料
| 型号： | W29EE512S-12 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO32 |
| 封装： | 0.450 INCH, SOP-32 |
| 文件页数： | 2/21页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | W29EE512S-12 |
Preliminary W29EE512
- 10 -
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
TPU.READ
100
S
Power-up to Write Operation
TPU.WRITE
5
mS
CAPACITANCE
(VCC = 5.0V, TA = 25
° C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX.
UNIT
I/O Pin Capacitance
CI/O
VI/O = 0V
12
pF
Input Capacitance
CIN
VIN = 0V
6
pF
AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
0V to 3V
Input Rise/Fall Time
< 5 nS
Input/Output Timing Level
1.5V/1.5V
Output Load
1 TTL Gate and CL = 100 pF/30 pF
AC Test Load and Waveform
+5V
1.8
1.3
100 pF
Input
3V
Test Point
DOUT
0V
1.5V
Test Point
Output
Kohm
(For 90 nS/120 nS)
30 pF
(For 70 nS)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W981204AH-75 | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| WF128K32N-150HC | 512K X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 150 ns, CPGA66 |
| WS128K32V-20G2IA | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K8-85CMEA | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CDMA32 |
| WE128K32P-120H1CA | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CPGA66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29EE512S-70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512S-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512T-12 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512T-12B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512T-70 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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