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参数资料
| 型号： | W29GL032CB7A |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 39/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA |
| 标准包装： | 480 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（4M x 8，2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA（6x8） |
| 包装： | 管件 |
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W29GL032C
Description
Symbol
ALT STD
V CC =2.7V~3.6V
Min Typ Max Units
ACC 16-Word Program Operation
t WHWH 1
77
μs
Sector Erase Operation
Sector Erase Timeout
Release from Deep Power Down mode
t WHWH 2
t SEA
t RDP
100
0.15
2
50
200
Sec
μs
μs
Table 8-5
AC Characteristics
Note:
1. The EVIO feature was designed to support voltages from 1.65V to VCC. Device testing is conducted at EVIO=VCC.
8.5.1
Instruction Write Operation
t CWC
#CE
V IH
V IL
t CS
t CH
#WE
V IH
V IL
#OE
V IH
V IL
t OES
t WP
t WPH
Addresses
V IH
VALID
ADDRESS
V IL
Data
V IH
V IL
t AS
t DS
t AH
DATA IN
t DH
Figure 8-5
Instruction Write Operation Waveform
Publication Release Date: August 2, 2013
33
Revision H
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29GL064CB7S | IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP |
| W29GL128CL9T | IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP |
| W631GG6KB-15 | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| W9412G6IH-5 | IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII |
| W9412G6JH-5I | IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOPII |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29GL032CB7ATR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:PF, 32M-BIT, 4KB UNIFORM SECTO |
| W29GL032CB7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL032CB7S | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W29GL032CH7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL032CH7T | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 56TSOP |
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