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参数资料
| 型号： | W3DG64126V10D2F |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| 封装： | LEAD FREE, DIMM-168 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 259K |
| 代理商： | W3DG64126V10D2F |
2
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
W3DG64126V-D2
January 2005
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
VCC
Vss
One 0.1uF Capacitors
per each SDRAM
To all SDRAMs
10Ω
DQn
Every DQpin of SDRAM
CKE1
8SDRAM
DQM1
DQM5
CS2#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQM
CS#
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQM
CS#
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQM
CS#
DQM0
CS0#
DQM4
DQM6
DQM7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
CS1#
CS3#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
A0 ~ A12, BA0 &1
CKE0
RAS#
CAS#
WE#
SDRAM
8SDRAM
SDRAM
10Ω
10K Ω
CK0/1/2/3
1.5pF
VCC
DQM3
DQM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM
CS#
SDA
SCL
A1 A2
A0
SA1 SA2
SA0
WP
SDRAM
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