- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录276884 > W49F002UT12BN (WINBOND ELECTRONICS CORP) 256K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO32 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W49F002UT12BN |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 20 MM, TSOP-32 |
| 文件页数： | 9/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | W49F002UT12BN |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页当前第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页
W49F002U
Publication Release Date: April 19, 2005
- 17 -
Revision A7
8.3 Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
TPU. READ
100
S
Power-up to Write Operation
TPU. WRITE
5
mS
9. CAPACITANCE
(VDD = 5.0V, TA = 25
° C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX.
UNIT
I/O Pin Capacitance
CI/O
VI/O = 0V
12
pF
Input Capacitance
CIN
VIN = 0V
6
pF
10. AC CHARACTERISTICS
10.1 AC Test Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
0V to 3V
Input Rise/Fall Time
<5 nS
Input/Output Timing Level
1.5V / 1.5V
Output Load
1 TTL Gate and CL = 30pF (for 70 nS/ 90 nS), 100 pF (for 120 nS)
10.2 AC Test Load and Waveform
+5V
1.8K
1.3K
DOUT
30 pF for 70nS / 90nS
(Including Jig and Scope)
Input
3V
0V
Test Point
1.5V
Output
100 pF for 120nS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG72255S202D3M | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184 |
| W3EG72255S263D3M | 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| W7NCF512H10CSA3HM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF512H10CSA6BM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF512H10CSABEM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W49F002UT70B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F002UT90B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020-70 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020-70B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。